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Investigadores
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Alonso
Corona
alonsocorona inaoep.mx
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| El
Dr. Corona obtuvo la licenciatura en Ingeniería Electrónica
y Comunicaciones en ITESM, México y el doctorado
en la Universidad de Birmingham, Reino Unido en 2001. Su
tesis de doctorado consistió en Formadores de Haz
con Superconductores de Alta Temperatura. De 2001 a 2004
fungió como ingeniero de microondas para CryoSystems
Ltd (Reino Unido), donde desarrolló subsistemas de
microondas superconductivos para telecomunicaciones. Además
fue investigador honorario en la Universidad de Birmingham
(2001 - 2004). En septiembre de 2004 se incorporó al Gran
Telescopio Milimétrico, INAOE donde actualmente es
investigador titular en la coordinación de electrónica.
En abril del 2009 le fue otorgada una beca Fulbright como
investigador visitante de la Universidad de California en
Los Ángeles. El Dr. Corona es miembro del Sistema
Nacional de Investigadores (SNI), Senior Member IEEE y la IET.
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Jose Luis
Olvera
jolverainaoep.mx
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| El
Dr. José Luis Olvera Cervantes es Licenciado en Física
y Matemáticas por el Instituto Politécnico
Nacional (IPN) en México D. F. También obtuvo
la maestría y el doctorado en electrónica
y telecomunicaciones del Centro de Investigación
Científica y de Educación Superior de Ensenada,
B. C. México en 2005 y 2008 respectivamente. Ha trabajado
sobre el modelado y caracterización de circuitos
eléctricos equivalentes de pequeña señal
y propiedades de ruido de transistores del tipo HBTs, HEMTs,
pHEMTs en temperatura ambiente y en temperaturas criogénicas.
El Dr. Olvera fue invitado por el Georgia Institute of Technology
y por el Georgia Electronic Design Center (GEDC) en Atlanta
U.S.A. para trabajar en modelado y caracterización
de circuito equivalente de pequeña señal de
transistores HBTs de SiGe en temperaturas ambiente y criogénicas.
Su investigación está enfocada en las áreas
de caracterización de transistores de alta frecuencia,
(SiGe HBTs y p-HEMTs), diseño de amplificadores de
ultra-bajo ruido, filtros de microondas, caracterización
de transistores en oblea, diseño de amplificadores
criogénicos, análisis y diseño de metamateriales,
antenas y diseño de sistemas de alta frecuencia.
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| El
Dr. Murthy nació en Samalkot, Andhra Pradesh, India
en Agosto de 1980. Recibió su título de Licenciatura
en Ciencias en Andhra University, India y posteriormente
obtuvo la licenciatura en Ingeniería en Electrónica
y Comunicaciones en Institute of Engineers, India. Consecuentemente
realizó sus estudios de maestría en Física
en Madras University, India y el doctorado en Física
de Microondas del Indian Institute of Technology, Madras,
India (2007). En el 2007 se incorporó al proyecto
del Gran Telescopio Milimétrico, INAOE como Investigador
Asociado. En 2008 fue seleccionado como candidato en el
Sistema Nacional de Investigadores (SNI). Sus intereses
de investigación incluyen guías de onda integradas
en substrato, imagenología a frecuencias de microondas,
metamateriales, antenas de banda ultra-ancha (UWB), caracterización
de semiconductores con microondas, heteroestructuras y nanotubos
de polímero-carbón.
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Estudiantes de Doctorado
Richard
Torrealba Melendez
Sistemas
de Imagenología con Microondas |
rtorrealinaoep.mx |
Johanny
Alberto Escobar Peláez
Filtros
Planares Novedosos de Microondas |
johannyescobarinaoep.mx |
Arcesio Arbelaez Nieto
Diseño e Implementación de Antenas de Banda Ancha |
arbelaezinaoep.mx |
Estudiantes
Graduados
H. Lobato Morales (CICESE) |
Doctorado |
E. Colín Beltran (University of Cambridge) |
Doctorado |
T. Kaur (UDLA) |
Doctorado |
J.
Alonso Buitrago Molina (Huawei) |
Maestría |
I. Hernández Díaz |
Maestría |
B.
López García (INTEL) |
Maestría |
R.
Hernández González |
Maestría |
Roberto
Reyes Ayona (INAOE) |
Maestría |
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